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        當前位置:首頁產品中心光譜系統顯微熒光系統S-MPL系列顯微熒光成像系統

        顯微熒光成像系統

        產品簡介

        S-MPL系列顯微熒光成像系統
        光致發光(photoluminescence)即PL,是用紫外、 可見或紅外輻射激發發光材料而產生的發光,在半 導體材料的發光特性測量應用中通常是用激光(波 長如325nm、532nm、785nm等)激發材料(如 GaN、ZnO、GaAs等)產生熒光,通過對其熒光光譜(即PL譜)的測量,分析該材料的光學特性,如禁帶寬 度等。

        產品型號:S-MPL系列
        更新時間:2025-04-23
        廠商性質:生產廠家
        訪問量:1640
        詳細介紹在線留言

        S-MPL系列顯微熒光成像系統簡介

        • 光致發光(photoluminescence)即PL,是用紫外、 可見或紅外輻射激發發光材料而產生的發光,在半 導體材料的發光特性測量應用中通常是用激光(波 長如325nm、532nm、785nm等)激發材料(如 GaN、ZnO、GaAs等)產生熒光,通過對其熒光光譜(即PL譜)的測量,分析該材料的光學特性,如禁帶寬 度等。光致發光可以提供有關材料的結構、成分及環境 原子排列的信息,是一種非破壞性的、高靈敏度的分析 方法,因而在物理學、材料科學、化學及分子生物學等 相關領域被廣泛應用。
        • 傳統的熒光光譜儀一般采用透鏡收光的方式,針對發光 非常微弱的納米材料,即便用激光器激發,也很難獲得 較好的信號。結合多年的實際測樣經驗,我司推出了顯 微PL系統,采用顯微物鏡收光,較傳統的熒光光譜儀其 收光效率提升了至少3個數量級,因此特別適用于傳統 熒光系統難以檢測到的微弱信號,另外其輔助的白光成 像功能,還可以實現微區(微米級)定位測量。

        應用領域:

        • 半導體材料
        • 二維材料
        • 納米材料
        • 薄膜材料
        • 光波導器件
        • LD, LED外延片

        產品特點:

        • 光譜范圍:200-1700nm
        • 光斑大小:≤10μm(325nm激光、100X物鏡)
        • 光譜分辨率:優于0.1nm
        • 白光成像分辨率:亞微米級
        • 激光器:266nm、325nm、360nm、405nm、488n- m、510nm、532nm、633nm、785nm等可選
        • 樣品臺:手動/電動可選
        • 采譜模式:單點掃描/線掃描可選

         S-MPL系列顯微熒光成像系統系統功能:

        • 微區PL測量
        • 可同時配置多路激光器
        • 自由光路耦合,保障大光效率
        • 顯微光路設計,保障大激發、收集效率
        • 高精度位移臺,實現微米級定位測量

        擴展功能:

        • 微區電致發光(EL)測量
        • 熒光壽命測量:ps-ms量級
        • 自動Mapping功能:50mm×50mm行程,步進精度 1μm
        • 光電流譜(成像)測量
        • 光電材料響應度測試
        • 變溫附件:77K-600℃/4K、10K超低溫

        S-MPL系列顯微熒光系統 

         

         

         

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