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        當前位置:首頁產品中心光電探測器銦鎵砷探測器InGaAs系列制冷型銦鎵砷探測器

        InGaAs系列制冷型銦鎵砷探測器

        產品簡介

        InGaAs系列制冷型銦鎵砷探測器低成本、低噪聲、高靈敏度、高可靠性、高速響應

        產品型號:
        更新時間:2025-05-06
        廠商性質:生產廠家
        訪問量:2127
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        InGaAs系列制冷型銦鎵砷探測器


        特點

        G12181-230K

        長波長類型(截止波長:1.85 μm)

        - 截止波長:1.85 μm

        - 兩級電子冷卻型

        - 低成本

        - 受光面:φ3 mm

        - 低噪聲

        - 高靈敏度

        - 高可靠性

        - 高速響應 

         

         

        G12183-230K

        長波長類型(截止波長:2.55 μm)

        - 截止波長:2.55 μm

        - 兩級電子冷卻型

        - 低成本

        - 受光面:φ3 mm

        - 低噪聲

        - 高靈敏度

        - 高可靠性

        - 高速響應

         

         

        參數:

        型號/參數

        G12181-030K

        G12183-230K

        受光面

        φ3.0 mm

        φ3.0 mm

        像素數

        1

        1

        封裝

        金屬

        金屬

        封裝類別

        TO-8

        TO-8

        散熱

        兩級電子冷卻型

        兩級電子冷卻型

        靈敏度波長范圍

        0.9 到 1.85 μm

        0.9 到 2.55 μm

        最大靈敏度波長(典型值)

        1.75 μm

        2.3 μm

        感光靈敏度(典型值)

        1.1 A/W

        1.3 A/W

        暗電流(最大值)

        50 nA

        60000 nA

        截止頻率(典型值)

        1.9 MHz

        1 MHz

        結電容(典型值)

        1700 pF

        3200 pF

        噪聲等效功率(典型值)

        3.5×10-14 W/Hz1/2

        6×10-13 W/Hz1/2

        測量條件

        典型值 Tc=-20°C,除非另有說明,感光靈敏度:λ=λp,暗電流:VR=0.5 V,截止頻率:VR=0V,RL=50Ω,結電容:VR=0V,f=1MHz

        典型值 Tc=-20°C,除非另有說明,感光靈敏度:λ=λp,暗電流:VR=0.5 V,截止頻率:VR=0 V,RL=50Ω,結電容:VR=0V,f =1MHz

         

        光譜靈敏度特性

         InGaAs系列制冷型銦鎵砷探測器2.jpegInGaAs系列制冷型銦鎵砷探測器3.jpeg

        外形尺寸圖(單位:mm)

        InGaAs系列制冷型銦鎵砷探測器4.jpeg

        InGaAs系列制冷型銦鎵砷探測器

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