FL 9BW 長曝光制冷CMOS相機

產品簡介
15.96 mm (1″)
3000 (H) × 3000 (V)
3.76 μm x 3.76 μm
< 0.0005 e-/p/s
-25℃ @ 22℃

產品型號：

更新時間：2025-04-24

廠商性質：生產廠家

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光電探測器

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產品介紹

FL 9BW 是鑫圖針對長曝光應用開發的新一代深度制冷CMOS相機。它采用索尼新一代的背照式CMOS芯片技術和鑫圖先進制冷密封工藝、圖像降噪技術聯合打造，不僅長曝光關鍵性能達到了深度制冷CCD的水平，還同時具有現代CMOS高靈敏度、高速、高動態等性能特征，可以完（wan）全替代制冷CCD長曝光應用。

<0.0005 e-/p/s暗電流
可替代冷CCD長曝光應用
FL 9BW暗電流已低至0.0005 e-/p/s, 制冷深度可達-25℃，關鍵性能達到了深度制冷CCD相當的水平。在~10分鐘長曝光的條件下，FL 9BW仍能獲取高信噪比(SNR)的圖像，且在正常曝光時間內 (60分鐘)，信噪比都優于695 CCD。
背景均一
定量分析更精準
FL 9BW同時集成了索尼芯片優異的輝光抑制能力和鑫圖先進圖像降噪處理技術，基本杜絕了邊角亮光、壞點像素等不良制程因素對正常信號的干擾，成像背景均一，更適合定量分析應用。
SONY 背照式科學級芯片
綜合成像性能優（you）越
FL 9BW采用索尼新一代背照式科學級CMOS芯片，不僅長曝光性能和CCD相當，峰值量子效率高達92%，讀出噪聲僅0.9 e-，弱光成像能力碾壓CCD，動態范圍更是傳統CCD的4倍以上，綜合成像性能十分優（you）越。

技術參數 >

型號:FL 9BW
芯片類型:BSI CMOS
芯片型號:SONY IMX533CLK-D
彩色 / 黑白:黑白
對角線尺寸:15.96 mm (1″)
有效面積:11.28 mm × 11.28 mm
像素大小:3.76 μm × 3.76 μm
分辨率:3000 x 3000, 9 MP
峰值量子效率:92 % @ 540 nm
暗電流:< 0.0005 e-/p/s
增益模式:Gain 0 – 高滿阱；Gain 1 – 平衡；Gain 2 – 高靈敏1；Gain 3 – 高靈敏2；
滿阱容量:Gain 0：47ke- @ bin1，binning 后＞180ke-；
Gain 1：16ke- @ bin1，binning 后 > 64ke-；
Gain 2：8ke- @ bin1，14 bit binning 后 >32ke-；
Gain 3：3ke- @ bin1，14 bit binning 后 >12ke-；
讀出模式:Standard，Low-Noise
讀出噪聲（標準讀出）:3.2e- @ Gain 0；1.2 e- @ Gain 1； 1.0 e- @ Gain 2；0.95 e- @ Gain 3
讀出噪聲（低噪聲讀出）:2.5e- @ Gain 0；1.0 e- @ Gain 1； 0.9 e- @ Gain 2；0.85 e- @ Gain 3
幀率:19 fps @ Standard Mode，12 fps @ Low Noise Mode
快門類型:卷簾
曝光時間:15 μs ~ 60 min
圖像校正:DDFC，DPC
ROI:支持
Binning:2；3；4；6；8；12；16；24
制冷方式:風冷
制冷溫度:-25 ℃ @ 室溫（22℃）
觸發模式:硬件，軟件
軟件:Mosaic, SamplePro, LabVIEW, MATLAB, Micromanager
觸發輸出:曝光開始，全局，讀出結束，高電平，低電平
觸發接口:Hirose
SDK:C，C++，C#
數據接口:USB 3.0
光學接口:C-Mount，支持定制
位深:14 bit, 16 bit
電源:12 V / 6 A
功耗:≤ 40 W
相機尺寸:76 mm x 76 mm x 98.5 mm
重量:835 g
操作系統:Windows / Linux
操作環境:工作：溫度 0~40 °C, 濕度 10~85 %
儲存：溫度 -10~60 ℃, 濕度 0~85 %

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15.96 mm (1″)
3000 (H) × 3000 (V)
3.76 μm x 3.76 μm
< 0.0005 e-/p/s
-25℃ @ 22℃

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<0.0005 e-/p/s暗電流
可替代冷CCD長曝光應用

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SONY 背照式科學級芯片
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-25℃ @ 22℃

<0.0005 e-/p/s暗電流
可替代冷CCD長曝光應用

背景均一
定量分析更精準

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